主要性能和指标:
1、 电子光学系统:
高稳定度肖特基场发射电子枪;放大倍率范围:35-1000000倍,根据加速电压和工作距离的改变,放大位数自动校准。
2、 电子束分辨率
1)高真空模式
(1)1.0nm@15 kV (二次电子像分辨率)
(2)1.4nm@1 kV (二次电子像分辨率,非减速模式),
(3)3.5nm@0.1 kV (背散射电子像分辨率)
2)低真空模式 :
1.5nm@10 kV (二次电子像分辨率);1.8nm@3 kV (二次电子像分辨率)
3)电子束其他参数
(1)着陆电压:50V ~ 30 kV
(2)电子束流:0.6pA ~ 200 nA,连续可调。
(3)最大水平视场宽度:4.0mm在5mm工作距离。
3、能谱技术指标
探测器:分析型SDD硅漂移电制冷探测器,晶体面积80 mm2 ,活区面积65mm2,高分子超薄窗设计。
封闭式真空系统,无需借助SEM抽放真空。
能量分辨率:Mn Ka保证优于127eV(@计数率130,000cps); F Ka 保证优于64eV(@计数率130,000cps);C Ka 保证优于56eV(@计数率130,000cps);符合ISO 15632:2012标准。元素分析范围:Be4~Cf98。
主要功能和服务范围:
用于细菌或真菌表面形貌的高分辨率成像;也可用于非磁性无机或有机微纳米材料的形貌表征及微区元素分析。